1.在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態，實際上應該取該值的數倍以上，才能達到真正的飽和;倍數越大，飽和程度就越深。
2.集電極電阻越大越容易飽和;
3.飽和區的現象就是：二個PN結均正偏，IC不受IB之控制
基極電流達到多少時三極管飽和?
這個值應該是不固定的，它和電源電壓,集電極負載、β值,基極電阻,
基極信號大小有關.
另外一個應該注意的問題就是：在Ic增大的時候，hFE會減小，所以我們應該讓三極管進入深度飽和Ib〉〉Ic(max)/hFE,Ic(max)是指在假定e、c極短路的情況下的Ic極限，當然這是以犧牲關斷速度為代價的。
飽和時Vb>Vc，但Vb>Vc不一定飽和
一般判斷飽和的直接依據還是防大倍數，有的管子Vb>Vc時還能保持相當高的放大倍數
例如：有的管子將Ic/Ib<10定義為飽和
Ic/Ib<1應該屬于深飽和了
用三極管可以考慮以下幾天：
1)耐壓夠不夠
2)負載電流夠不夠大
3)速度夠不夠快(有時卻是要慢速)
4)B極控制電流夠不夠
5)有時可能考慮功率問題
6)有時要考慮漏電流問題(能否“完全”截止)。
7)增益
