不間斷電源(UninterruptedPowerSupply，簡(jiǎn)稱(chēng)UPS)是一種穩(wěn)頻、穩(wěn)壓、純凈、不間斷的高質(zhì)量電源，隨著電子和電器設(shè)備對(duì)電網(wǎng)質(zhì)量要求的不斷增高，它已經(jīng)成為許多重要場(chǎng)合必備的輔助電源。
1逆變電路及其控制
PWM技術(shù)原理由于全控型電力半導(dǎo)體器件的出現(xiàn)，不僅使得逆變電路的結(jié)構(gòu)大為簡(jiǎn)化，而且在控制策略上與晶閘管類(lèi)的半控型器件相比，也有著根本的不同，由原來(lái)的相位控制技術(shù)改變?yōu)槊}沖寬度控制技術(shù)，簡(jiǎn)稱(chēng)PwM技術(shù)。PwM技術(shù)可以極其有效地進(jìn)行諧波抑制，在頻率、效率各方面有著明顯的優(yōu)點(diǎn)使逆變電路的技術(shù)性能與可靠性得到了明顯的提高。采用PwM方式構(gòu)成的逆變器，其輸人為固定不變的直流電壓，可以通過(guò)PwM技術(shù)在同一逆變器中既實(shí)現(xiàn)調(diào)壓又實(shí)現(xiàn)調(diào)頻。由于這種逆變器只有一個(gè)可控的功率級(jí)，簡(jiǎn)化了主回路和控制回路的結(jié)構(gòu)，因而體積小、質(zhì)量輕、可靠性高。又因?yàn)榧驂骸⒄{(diào)頻于一身，所以調(diào)節(jié)速度快、系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)響應(yīng)好。此外，采用PwM技術(shù)不僅能提供較好的逆變器輸出電壓和電流波形，而且提高了逆變器對(duì)交流電網(wǎng)的功率因數(shù)。
正弦脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)在逆變器的控制中得到了廣泛應(yīng)用，正弦脈寬調(diào)制方式很多，在此不一一描述。本電路采用的是倍頻式的調(diào)制方式，下面簡(jiǎn)單加以介紹。
全橋逆變電路的基本結(jié)構(gòu)如圖1所示。在倍頻式調(diào)制方式中，四個(gè)開(kāi)關(guān)管的門(mén)極脈沖信號(hào)Vg1～Vg4的產(chǎn)生方法如圖2所示。四個(gè)開(kāi)關(guān)管門(mén)極脈沖信號(hào)Vg1～Vg4與兩橋臂中點(diǎn)A、B間電壓VAB的波形也如圖2所示。
全橋逆變電路的基本結(jié)構(gòu)
門(mén)極脈沖信號(hào)產(chǎn)生方法
由圖2可以看出，在倍頻式調(diào)制方式中，A、B間電壓頻率是開(kāi)關(guān)管工作頻率的兩倍，這種調(diào)制方式的好處在于在不增加開(kāi)關(guān)管工作頻率的情況下，可以減小逆變器輸出濾波器的尺寸。它的缺點(diǎn)在于四個(gè)門(mén)極脈沖信號(hào)各不相同，提高了控制電路和脈沖發(fā)生電路的復(fù)雜性。本文提及的逆變電路開(kāi)關(guān)管門(mén)極SPWM信號(hào)是由數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)產(chǎn)生的，對(duì)于數(shù)字控制電路而言，倍頻式調(diào)制方式所帶來(lái)的電路復(fù)雜性可以忽略。
該電路采用IGBT作為功率開(kāi)關(guān)管。由于IGBT寄生電容和線路寄生電感的存在，同一橋臂的開(kāi)關(guān)管在開(kāi)關(guān)工作時(shí)相互會(huì)產(chǎn)生干擾，這種干擾主要體現(xiàn)在開(kāi)關(guān)管門(mén)極上。以上管開(kāi)通對(duì)下管門(mén)極產(chǎn)生的干擾為例，實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路及其等效電路如圖3所示。
實(shí)際驅(qū)動(dòng)電路及其等效電路
實(shí)際電路中，虛線框部分是IR2110的輸出推挽電路，RS、RP分別是T2門(mén)極串、并聯(lián)電阻，Zg是門(mén)極限幅穩(wěn)壓管。當(dāng)上管T1開(kāi)通時(shí)，下管T2門(mén)極信號(hào)必然為低電平，即M2導(dǎo)通，M2兩端可等效為一個(gè)電阻RM，這個(gè)電阻與RS、RP一起等效為電阻Rg。
Rg=(RM+RS)//RP≈RS(RM<S<P)
Zg兩端相當(dāng)于開(kāi)路。電容Cge和Cgc都是T2的寄生電容。電感L是功率電路線路的等效寄生電感，Lg是驅(qū)動(dòng)電路的線路電感。
在T1開(kāi)通前，由于互補(bǔ)門(mén)極信號(hào)死區(qū)的存在，T1、T2均處于關(guān)斷狀態(tài)，橋臂中點(diǎn)電壓是高壓母線電壓VBUS的一半。當(dāng)T1開(kāi)通時(shí)，中點(diǎn)電壓立刻上升，很高的dv/dt使L和T2的寄生電容發(fā)生振蕩，由于Lg和Rg的存在且Cge的阻抗也并不足夠低，在T2門(mén)極會(huì)產(chǎn)生一個(gè)電壓尖刺。這個(gè)電壓尖刺幅值隨母線電壓VBUS和負(fù)載電流的增大而增大，可能達(dá)到足以導(dǎo)致T2瞬間誤導(dǎo)通的幅值，這時(shí)橋臂就會(huì)形成直通，造成電路燒毀。同樣地，當(dāng)T2開(kāi)通時(shí)，T1的門(mén)極也會(huì)有電壓尖刺產(chǎn)生。
通過(guò)減小RS和改善電路布線可以使這個(gè)電壓尖刺有所降低，但均不能達(dá)到可靠防止橋臂直通的要求。
